基于电场操控的抗消磁反铁磁存储芯片器件

简介

本作品创新地提出电场调控反铁磁存储器件概念，用外加电场诱发压电应力，有效地改变了MnPt薄膜反铁磁自旋轴，实现对MnPt薄膜电阻的调控，得到非易失性高低电阻态，对应于数据态“0”和“1”。该存储器件集合了电场调控的低能耗优势和反铁磁存储的高响应速度、高集成密度、抗磁场干扰的优势。特别是，在60 T超强脉冲磁场环境中，电阻态仍然稳定，不会造成数据损失，是目前抗磁场性能最优越的存储器件。