后摩尔新型半导体原子级精确构筑与高性能器件应用

简介

层状半导体材料被提出以解决传统硅基芯片集成度、性能上限等瓶颈问题。然而，其距离产业化还面临以生长位置随机、材料选择少、器件性能优势不显著为代表的一系列问题。本项目创新性地提出了“籽晶自消失”与“脉冲气流”方法，在原子层级精确构筑材料，实现了材料位置自准定、材料超失配集成、超高光响应度探测器的技术突破。本工作中“制备-集成-器件”的全链条创新为层状材料进入芯片产业发挥其优势性能提供了扎实的基础。