中科稼电——引领第四代半导体芯片新纪元

简介

为适应新时期国际竞争局势和国内市场的旺盛需求，我国政府在“十四五”国家重点研发计划“纳米前沿”重点专项中，特别强调了对先进功率半导体的晶圆外延、器件制造、半导体设备生产等领域的支持。与此同时，技术纳米尺度电畴调控的高灵敏光电感知器件及系统的研究也被纳入“十四五”国家重点研发计划，以满足光电感知应用中对高灵敏、快速响应探测器的需求。 随着新能源电车、消费电子产品的快速普及，人们对高性能、低能耗的新型半导体器件需求的迅速提升，半导体电子电力器件市场急剧扩大。先进的半导体材料能够为现代工业和消费电子提供更高的转换效率和更高的电压。β-Ga2O3凭借其超宽的带隙（4.9 eV）、8 MV/cm的高临界击穿场强和3444的大巴利加优值表现出优异的击穿电压和导通电阻性能，可应用领域十分广泛，有着充足而后劲强盛的需求市场。 中科稼电立足氧化镓技术服务，依托于氧化镓独特的成本优势、材料优势和技术优势，推动氧化镓电力电子和光电器件朝向高效能、小型化、耐高温、低成本方向发展，使得基于氧化镓的器件能更好满足市场对高性能半导体产品的紧迫需求。 本团队创造性地提出并成功制备了基于 N 离子注入技术的高性能垂直增强Ga2O3 UMOSFET 功率器件，这是全球首个垂直增强型Ga2O3 UMOSFET功率器件。同时，为提升Ga2O3基器件性能，我们开发了全新的Ga2O3外延技术，成功制备了高性能的功率器件和高响应性能的紫外光电探测器，大大提升了国内市场高良品率的高功率器件和紫外探测器件的技术，扭转了国内功率电力电子器件工艺技术落后的现实情况，为我国高功率器件和紫外探测器件产业注入强劲活力。同时，推进了氧化镓的实际应用，其高效能、低成本、耐高温和小型化的特性，预示着在功率器件、日盲成像、高速通信等领域的广泛应用潜力。 企业规划方面，本团队计划在2024年于江苏省苏州市苏州工业园区建立江苏中科稼电有限公司。以“打造高电子迁移率、高工作频率、高质量的氧化镓电力电子器件，助力中国智能制造2025”为企业核心初衷，致力于将企业打造成一所拥有独立自主知识产权，以现代化高新技术开发和应用为核心业务的，集设计，开发，制造与销售服务于一体的民营企业。公司立足于苏州，辐射全国，面向世界，力求成为中国氧化镓电子电力器件领军企业，实现弯道超车，做中国自己的英飞凌。