基于自旋霍尔磁阻效应的自旋电子学研究和忆感器物理模型实现

简介

我们研究了典型的Pt/SrMnO3，Nb/Y3Fe5O12双层膜体系的自旋霍尔磁阻效应，阐明了电子自旋和反铁磁磁矩间的相互作用机制，和超导凝聚效应对自旋霍尔磁阻效应的影响。并在对这一内在物理机制的认识的基础上，成功地基于Pt//Y3Fe5O12双层膜体系构建和实现了记忆二端物理元件---忆感器的物理模型和图像，为记忆电子元件家族增添了新成员，对实现更高集成的逻辑电路做出了贡献。