ZnO阻变存储特性、机理分析与模拟及应用展示

简介

本作品主要分为三部分，以器件的自整流特性和自限流特性为目的，对氧化锌单根纳米线器件进行镓掺杂与锑掺杂并深入探究其阻变特性。随后在硅衬底上制备具有结构的阻变存储器件，在不同的限制电流下显现阻变开关特性和一次写入多次读取特性。利用多物理场耦合软件COMSOL Multiphysics对MIM结构的阻变存储器进行仿真模拟，主要围绕MIM结构氧化锌阻变存储器（RRAM） 器件阻变机理进行详细研究。