第十九届“挑战杯”全国大学生课外学术科技作品竞赛
2025
省赛
课外学术科技作品竞赛（主体赛）
一等奖
未转化
是
氮化镓（GaN）材料性能优异，是突破硅基极限的关键。针对当前 GaN 光芯片分辨率低、集成难、柔韧性差三大痛点，团队创新实现三大核心技术：1）自下而上的一维 GaN 外延，实现 0.1μm 超高分辨率纳米线，突破尺寸极限；2）首创剥离三要素设计，实现无损剥离，结合柔性衬底，赋予器件高透明度（Tmax≈82%）和高柔韧性；3）多维一体化集成芯片，采用 QD-QW 复合结 构，在同一柔性透明芯片上实现探测与显示功能独立工作。
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