紫外发光新风向-- i-Ga2O3作电子阻挡层的新型紫外LED芯片

简介

项目主要针对目前汞灯横行市场，紫外LED自主性差的问题，首创了“i-Ga2O3作电子阻挡层的新型紫外LED”。i型层的加入，改善了异质结器件的整流特性，实现了室温下稳定的电致发光，为紫外产业链提供了技术基础和理论支撑。