未来信息技术基石——第四代超宽禁带半导体材料氧化镓高功率器件的自研芯片底层优化方案
第十八届“挑战杯”全国大学生课外学术科技作品竞赛
2023
国赛
课外学术科技作品竞赛（主体赛）
三等奖
学生
优化二氧化硅场板制备工艺，显著抑制边缘电场集中，使器件击穿电压提升至 2.26kV，超国际同期水平，主导完成 100 + 样品测试，验证工艺稳定性，成果发表于《Applied Surface Science》。
暂未公开
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