未来信息技术基石——第四代超宽禁带半导体材料氧化镓高功率器件的自研芯片底层优化方案
第十八届“挑战杯”全国大学生课外学术科技作品竞赛
2023
国赛
课外学术科技作品竞赛（主体赛）
三等奖
学生
核心成员，优化 NiO 薄膜沉积参数，使异质结反向漏电流下降十万倍，支撑器件击穿电压突破 1kV，参与开发叠层结构设计，实现巴利加优值 7 倍增长，成果发表于微电子领域顶级期刊，获挑战杯省赛特等奖。
暂未公开
