未来信息技术基石——第四代超宽禁带半导体材料氧化镓高功率器件的自研芯片底层优化方案
第十八届“挑战杯”全国大学生课外学术科技作品竞赛
2023
国赛
课外学术科技作品竞赛（主体赛）
三等奖
学生
作为负责人，带领团队攻克氧化镓 p 型掺杂难题，开发磁控溅射 NiO 异质结工艺，实现器件击穿电压 2.26kV（超第三代碳化硅器件），巴利加优值提升 7 倍，获挑战杯省赛特等奖，发表 IEEE TED 等期刊论文 5 篇，申请专利 3 项，推动第四代半导体器件自主研发。
暂未公开
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