半导体PN结芯片载流子寿命分析仪

简介

本项目采用方波瞬态激励注入少数载流子和阶跃负脉冲的去除与抽取的动态过程中测量过剩非平衡载流子的贮存时间，实现反映PN结反向瞬变效应与非平衡少子寿命的测试分析。本项目落实国家半导体芯片发展政策，为半导体专业人才培养实验教学创新设计了半导体PN结芯片载流子寿命分析仪，建立高水平半导体实验实践创新平台。同时为半导体技术产品提供高精度测试装备。为我国半导体领域的发展和人才培养做出贡献。