未来信息技术基石——第四代超宽禁带半导体材料氧化镓高功率器件的自研芯片底层优化方案

简介

功率器件广泛应用于新能源汽车等高精尖产业，而氧化镓凭借着更为出色的材料特性和更低的制备成本在功率器件领域具备极大的应用潜力。本项目聚焦于氧化镓功率器件的研究，开发了新工艺，利用磁控溅射NiO制备异质结，器件的击穿电压相较于单极型器件提高了110%，解决了“有没有”的问题，为了解决了“强不强”的问题，我们构造了“新结构”，实现了性能7倍的增长，同时利用PECVD技术构造场板，实现了器件2kV的耐压。